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型号 SI7703EDN-T1-GE3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET P-CH D-S 20V 1212-8 PPAK
SI7703EDN-T1-GE3 PDF
代理商 SI7703EDN-T1-GE3
标准包装 1
系列 TrenchFET®
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 二极管（隔离式）
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 4.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 48 毫欧 @ 6.3A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 1V @ 800µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 18nC @ 4.5V
功率 - 最大 1.3W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK? 1212-8
供应商设备封装 PowerPAK? 1212-8
包装 剪切带 (CT)
其它名称 SI7703EDN-T1-GE3CT
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